ಗುರಿಗಳನ್ನು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮಾಡಲು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ತತ್ವಗಳು

ಅನೇಕ ಬಳಕೆದಾರರು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ಉತ್ಪನ್ನದ ಬಗ್ಗೆ ಕೇಳಿರಬೇಕು, ಆದರೆ ಗುರಿಯನ್ನು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ತತ್ವವು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ತಿಳಿದಿಲ್ಲ.ಈಗ, ಸಂಪಾದಕಶ್ರೀಮಂತ ವಿಶೇಷ ವಸ್ತು (RSM) ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ತತ್ವಗಳನ್ನು ಹಂಚಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

ಸ್ಪಟರ್ಡ್ ಟಾರ್ಗೆಟ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್ (ಕ್ಯಾಥೋಡ್) ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ ನಡುವೆ ಆರ್ಥೋಗೋನಲ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಜಡ ಅನಿಲವನ್ನು (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಆರ್ ಗ್ಯಾಸ್) ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತ ಕೊಠಡಿಯಲ್ಲಿ ತುಂಬಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಶಾಶ್ವತ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ 250 ~ 350 ಗಾಸ್ ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಗುರಿ ದತ್ತಾಂಶದ ಮೇಲ್ಮೈ, ಮತ್ತು ಆರ್ಥೋಗೋನಲ್ ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವು ಉನ್ನತ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಪ್ರಭಾವದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ, ಆರ್ ಅನಿಲವನ್ನು ಧನಾತ್ಮಕ ಅಯಾನುಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳಾಗಿ ಅಯಾನೀಕರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಗುರಿಗೆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಋಣಾತ್ಮಕ ಅಧಿಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಗುರಿ ಧ್ರುವದಿಂದ ಹೊರಸೂಸಲ್ಪಟ್ಟ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ಮೇಲೆ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಪರಿಣಾಮ ಮತ್ತು ಕೆಲಸ ಮಾಡುವ ಅನಿಲದ ಅಯಾನೀಕರಣದ ಸಂಭವನೀಯತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಬಳಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ.ಲೊರೆಂಟ್ಜ್ ಬಲದ ಪ್ರಭಾವದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ, Ar ಅಯಾನುಗಳು ಗುರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ವೇಗವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಗುರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ವೇಗದಲ್ಲಿ ಸ್ಫೋಟಿಸುತ್ತವೆ, ಗುರಿಯ ಮೇಲೆ ಚಿಮ್ಮಿದ ಪರಮಾಣುಗಳು ಆವೇಗ ಪರಿವರ್ತನೆ ತತ್ವವನ್ನು ಅನುಸರಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಚಲನ ಶಕ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ಗುರಿ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ತಲಾಧಾರಕ್ಕೆ ಹಾರುತ್ತವೆ. ಚಲನಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಲು.

ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎರಡು ವಿಧಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ: ಟ್ರಿಬ್ಯೂಟರಿ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮತ್ತು RF ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್.ಉಪನದಿ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಉಪಕರಣದ ತತ್ವವು ಸರಳವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಲೋಹವನ್ನು ಚೆಲ್ಲುವಾಗ ಅದರ ದರವು ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ.RF sputtering ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಚೆಲ್ಲುವುದರ ಜೊತೆಗೆ, ಇದು ವಾಹಕವಲ್ಲದ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಕೂಡ ಚೆಲ್ಲುತ್ತದೆ.ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಆಕ್ಸೈಡ್‌ಗಳು, ನೈಟ್ರೈಡ್‌ಗಳು, ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಸಹ ನಡೆಸುತ್ತದೆ.RF ಆವರ್ತನವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಿದರೆ, ಅದು ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಆಗುತ್ತದೆ.ಈಗ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೈಕ್ಲೋಟ್ರಾನ್ ರೆಸೋನೆನ್ಸ್ (ECR) ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.