ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ ಕೋಟಿಂಗ್‌ನಲ್ಲಿ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಟಾರ್ಗೆಟ್‌ಗಳ ಕಾರ್ಯಗಳು

ಗುರಿಯು ಅನೇಕ ಪರಿಣಾಮಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಸ್ಥಳವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ.ಇದು ಅನೇಕ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಬಹಳ ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ.ಬಹುತೇಕ ಎಲ್ಲಾ ಹೊಸ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಉಪಕರಣಗಳು ಗುರಿಯ ಸುತ್ತ ಆರ್ಗಾನ್ನ ಅಯಾನೀಕರಣವನ್ನು ವೇಗಗೊಳಿಸಲು ಸುರುಳಿಯಾಕಾರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳಿಗೆ ಶಕ್ತಿಯುತವಾದ ಆಯಸ್ಕಾಂತಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಗುರಿ ಮತ್ತು ಆರ್ಗಾನ್ ಅಯಾನುಗಳ ನಡುವಿನ ಘರ್ಷಣೆಯ ಸಂಭವನೀಯತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ.ಈಗ ನಿರ್ವಾತ ಲೇಪನದಲ್ಲಿ ಗುರಿಯನ್ನು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಪಾತ್ರವನ್ನು ನೋಡೋಣ.

ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ದರವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಿ.ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, DC ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಲೋಹದ ಲೇಪನಕ್ಕಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ RF AC ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ವಾಹಕವಲ್ಲದ ಸೆರಾಮಿಕ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿ ಗುರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಆರ್ಗಾನ್ (AR) ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಹೊಡೆಯಲು ಗ್ಲೋ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವುದು ಮೂಲಭೂತ ತತ್ವವಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದಲ್ಲಿನ ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳು ಸ್ಪ್ಲಾಶ್ಡ್ ವಸ್ತುವಾಗಿ ಋಣಾತ್ಮಕ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಧಾವಿಸಲು ವೇಗವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ.ಈ ಪರಿಣಾಮವು ಗುರಿಯ ವಸ್ತುವನ್ನು ಹಾರಿಹೋಗುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಠೇವಣಿ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಪನದ ಹಲವಾರು ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿವೆ: (1) ಲೋಹ, ಮಿಶ್ರಲೋಹ ಅಥವಾ ಇನ್ಸುಲೇಟರ್ ಅನ್ನು ಫಿಲ್ಮ್ ಡೇಟಾವಾಗಿ ಮಾಡಬಹುದು.

(2) ಸೂಕ್ತವಾದ ಸೆಟ್ಟಿಂಗ್ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ, ಒಂದೇ ಸಂಯೋಜನೆಯೊಂದಿಗೆ ಚಲನಚಿತ್ರವನ್ನು ಬಹು ಮತ್ತು ಅಸ್ತವ್ಯಸ್ತವಾಗಿರುವ ಗುರಿಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಬಹುದು.

(3) ವಿಸರ್ಜನೆಯ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಆಮ್ಲಜನಕ ಅಥವಾ ಇತರ ಸಕ್ರಿಯ ಅನಿಲಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸುವ ಮೂಲಕ ಗುರಿ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಅನಿಲ ಅಣುಗಳ ಮಿಶ್ರಣ ಅಥವಾ ಸಂಯುಕ್ತವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಬಹುದು.

(4) ಟಾರ್ಗೆಟ್ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಸಮಯವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ದಪ್ಪವನ್ನು ಪಡೆಯುವುದು ಸುಲಭ.

(5) ಇತರ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಇದು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರದೇಶದ ಏಕರೂಪದ ಚಲನಚಿತ್ರಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ.

(6) ಚಿಮ್ಮಿದ ಕಣಗಳು ಗುರುತ್ವಾಕರ್ಷಣೆಯಿಂದ ಬಹುತೇಕವಾಗಿ ಪ್ರಭಾವಿತವಾಗುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಗುರಿ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ ಸ್ಥಾನಗಳನ್ನು ಮುಕ್ತವಾಗಿ ಜೋಡಿಸಬಹುದು.