ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ವಿಶಿಷ್ಟ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳು

ಇತ್ತೀಚೆಗೆ, ಅನೇಕ ಸ್ನೇಹಿತರು ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಗಳ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಕೇಳಿದರು.ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ, ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಮತ್ತು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಚಲನಚಿತ್ರಗಳ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು, ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಗಳ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಗೆ ಅಗತ್ಯತೆಗಳು ಯಾವುವು?ಈಗ RSM ನ ತಾಂತ್ರಿಕ ತಜ್ಞರು ಅದನ್ನು ನಮಗೆ ವಿವರಿಸುತ್ತಾರೆ.

　　1. ಶುದ್ಧತೆ

ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯು ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ಮೂಲಭೂತ ಗುಣಲಕ್ಷಣವಾಗಿದೆ.ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಗುರಿಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ, ಸ್ಪಟರ್ಡ್ ಫಿಲ್ಮ್ನ ಉತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ.ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ಶುದ್ಧತೆ ಕನಿಷ್ಠ 99.95% ಆಗಿರಬೇಕು (ದ್ರವ್ಯರಾಶಿ, ಕೆಳಗಿರುವಂತೆಯೇ).ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎಲ್ಸಿಡಿ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಗಾಜಿನ ತಲಾಧಾರದ ಗಾತ್ರದ ನಿರಂತರ ಸುಧಾರಣೆಯೊಂದಿಗೆ, ವೈರಿಂಗ್ನ ಉದ್ದವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಲೈನ್ವಿಡ್ತ್ ತೆಳುವಾಗಿರಬೇಕು.ಚಿತ್ರದ ಏಕರೂಪತೆ ಮತ್ತು ವೈರಿಂಗ್‌ನ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು, ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ಶುದ್ಧತೆಯನ್ನು ಅದಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.ಆದ್ದರಿಂದ, ಚೆಲ್ಲುವ ಗಾಜಿನ ತಲಾಧಾರದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಬಳಕೆಯ ಪರಿಸರದ ಪ್ರಕಾರ, ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ಶುದ್ಧತೆಯು 99.99% - 99.999% ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿರಬೇಕು.

ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯನ್ನು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ನಲ್ಲಿ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮೂಲವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಘನ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕದಲ್ಲಿನ ಕಲ್ಮಶಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳಲ್ಲಿನ ನೀರಿನ ಆವಿಯು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಚಲನಚಿತ್ರಗಳ ಮುಖ್ಯ ಮಾಲಿನ್ಯ ಮೂಲಗಳಾಗಿವೆ.ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ, ಕ್ಷಾರ ಲೋಹದ ಅಯಾನುಗಳು (Na, K) ನಿರೋಧನ ಪದರದಲ್ಲಿ ಮೊಬೈಲ್ ಅಯಾನುಗಳಾಗಲು ಸುಲಭವಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಮೂಲ ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ;ಯುರೇನಿಯಂ (U) ಮತ್ತು ಟೈಟಾನಿಯಂ (TI) ನಂತಹ ಅಂಶಗಳು α X- ಕಿರಣವನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡುತ್ತವೆ, ಇದು ಸಾಧನಗಳ ಮೃದುವಾದ ಸ್ಥಗಿತಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ;ಕಬ್ಬಿಣ ಮತ್ತು ನಿಕಲ್ ಅಯಾನುಗಳು ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಸೋರಿಕೆ ಮತ್ತು ಆಮ್ಲಜನಕದ ಅಂಶಗಳ ಹೆಚ್ಚಳಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ.ಆದ್ದರಿಂದ, ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯ ತಯಾರಿಕೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಈ ಅಶುದ್ಧತೆಯ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಗುರಿಯಲ್ಲಿ ತಮ್ಮ ವಿಷಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಾಗಿ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ.

　　2. ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಗಾತ್ರ ವಿತರಣೆ

ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯು ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ರಚನೆಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರವು ಮೈಕ್ರಾನ್‌ನಿಂದ ಮಿಲಿಮೀಟರ್‌ವರೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ.ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ಉತ್ತಮವಾದ ಧಾನ್ಯದ ಗುರಿಯ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ದರವು ಒರಟಾದ ಧಾನ್ಯದ ಗುರಿಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ;ಸಣ್ಣ ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರದ ವ್ಯತ್ಯಾಸದೊಂದಿಗೆ ಗುರಿಗಾಗಿ, ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ಫಿಲ್ಮ್ನ ದಪ್ಪದ ವಿತರಣೆಯು ಹೆಚ್ಚು ಏಕರೂಪವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

　　3. ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ

ಗುರಿಯ ಪರಮಾಣುಗಳು ಷಡ್ಭುಜಾಕೃತಿಯ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣುಗಳ ಹತ್ತಿರದ ಜೋಡಣೆಯ ದಿಕ್ಕಿನ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಆದ್ಯತೆಯಾಗಿ ಚಿಮುಕಿಸಲ್ಪಡುವುದರಿಂದ, ಅತ್ಯಧಿಕ ಸ್ಫಟರಿಂಗ್ ದರವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು, ಗುರಿಯ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ದರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಗುರಿಯ ಸ್ಫಟಿಕ ದಿಕ್ಕು ಸಹ ಚೆಲ್ಲುವ ಚಿತ್ರದ ದಪ್ಪ ಏಕರೂಪತೆಯ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ.ಆದ್ದರಿಂದ, ಚಿತ್ರದ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಸ್ಫಟಿಕ ಆಧಾರಿತ ಗುರಿ ರಚನೆಯನ್ನು ಪಡೆಯುವುದು ಬಹಳ ಮುಖ್ಯ.

　　4. ಸಾಂದ್ರತೆ

ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಲೇಪನದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯನ್ನು ಬಾಂಬ್ ಸ್ಫೋಟಿಸಿದಾಗ, ಗುರಿಯ ಆಂತರಿಕ ರಂಧ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ ಅನಿಲವು ಇದ್ದಕ್ಕಿದ್ದಂತೆ ಬಿಡುಗಡೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ ಗುರಿ ಕಣಗಳು ಅಥವಾ ಕಣಗಳು ಸಿಡಿಯುತ್ತವೆ, ಅಥವಾ ಫಿಲ್ಮ್ ವಸ್ತುವನ್ನು ಸ್ಫೋಟಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಫಿಲ್ಮ್ ರಚನೆಯ ನಂತರ ದ್ವಿತೀಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳಿಂದ, ಕಣಗಳ ಸ್ಪ್ಲಾಶಿಂಗ್‌ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.ಈ ಕಣಗಳ ನೋಟವು ಚಿತ್ರದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.ಗುರಿಯ ಘನದಲ್ಲಿನ ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಫಿಲ್ಮ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು.ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಗಾಗಿ, ಅದರ ಸಾಪೇಕ್ಷ ಸಾಂದ್ರತೆಯು 98% ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿರಬೇಕು.

　　5. ಗುರಿ ಮತ್ತು ಚಾಸಿಸ್ನ ಬೈಂಡಿಂಗ್

ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಗುರಿಯನ್ನು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೊದಲು ಆಮ್ಲಜನಕ ಮುಕ್ತ ತಾಮ್ರದ (ಅಥವಾ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಮತ್ತು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳು) ಚಾಸಿಸ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಬೇಕು, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಗುರಿ ಮತ್ತು ಚಾಸಿಸ್‌ನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ.ಬಂಧಿಸಿದ ನಂತರ, ಎರಡರ ಬಂಧವಿಲ್ಲದ ಪ್ರದೇಶವು 2% ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದೆ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಅಲ್ಟ್ರಾಸಾನಿಕ್ ತಪಾಸಣೆಯನ್ನು ಕೈಗೊಳ್ಳಬೇಕು, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಬೀಳದಂತೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್‌ನ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಬೇಕು.